Samsung, yüksek veri yoğunluğuna sahip yeni nesil QLC NAND V9 flaş çözümünü tanıtmaya hazırlanıyor. Şirketin 280 katmanlı yeni QLC NAND yongası, dünyanın en yoğun NAND belleği olacak. YMTC’nin 232L QLC NAND flaşından %40 daha yoğun olan Samsung’un yeni QLC 3D NAND V9 çözümü, sektörde dikkat çekici bir ilerleme sunuyor.
Yeni QLC belleğin 28,5 Gb/mm2 veri yoğunluğu, mevcut rakiplerinden önemli ölçüde daha fazla yoğunluk sunarken, maksimum 3,2 Gbps aktarım hızıyla hız konusunda da iddialı. Bu, Samsung’un V9 QLC’nin, mevcut QLC tabanlı ürünlerden önemli ölçüde daha hızlı olduğunu gösteriyor.
Yeni nesil belleklerin 8 TB’ın üzerinde kapasiteli sürücülerde kullanılabileceği öngörülüyor. Samsung, V9 QLC’nin bu yılın sonlarında piyasaya sürülmesiyle depolama teknolojilerinde yeni bir döneme öncülük edebilir.
